Skip to main content

Отработана технология создания P-HEMT гетероструктур

На установке Riber отработана технология создания P-HEMT гетероструктур AlGaN/ GaN, InGaN/GaN и т.д…. Контролируются параметры толщины и состава выращенных структур.

На оборудовании Центра создана светодиодная структура

Сотрудниками наноцентра и ИФЯЭ создана структура со светодиодами на подложке ….. В процессе создания отработаны последовательно все этапы создания светодиодов