Отработана технология создания P-HEMT гетероструктур

Опубликовано asta в Чт, 10/10/2013 - 15:18

На установке Riber отработана технология создания P-HEMT гетероструктур AlGaN/ GaN, InGaN/GaN и т.д…. Контролируются параметры толщины и состава выращенных структур.

• English

На оборудовании Центра создана светодиодная структура

Опубликовано asta в Чт, 10/10/2013 - 15:13

Сотрудниками наноцентра и ИФЯЭ создана структура со светодиодами на подложке ….. В процессе создания отработаны последовательно все этапы создания светодиодов