Наноцентр имеет в своем составе 6 научно-исследовательских и аналитических лабораторий.
1. Научно-исследовательская Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии.
Основные направления деятельности лаборатории:
Основными направлениями деятельности лаборатории являются: проведение фундаментальных и прикладных НИР, поисковых разработок на стыке науки и технологии для создания гетероструктур полупроводников А3В5, наносистем и наноэлектронных приборов на их основе, с использованием технологий формирования наноструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии на современном мировом уровне.
Задачи:
1. Исследование процессов МЛЭ - роста, разработка технологий, изготовление и исследование наноразмерных гетероструктур А3В5 и оксидных материалов. Исследование взаимосвязи особенностей конструкции гетероструктур и электрофизических, оптических и структурных свойств образцов.
2. Оптимизация и изготовление транзисторных гетероструктур для создания прототипов приборов СВЧ- и наноэлектроники, сенсоров и т.д.
3. Разработка технологий нанолитографии для получения суб-100 нм топологий приборов наноэлектроники и специализированных трехмерных наноразмерных топологий, в т.ч. Т- образных затворов СВЧ транзисторов.
4. Исследование технологий формирования наноразмерных 3D, 2D, 1D и 0D систем с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии: квантовых точек, квантовых колец, квантовых нитей и вискеров при помощи самоорганизации.
5. Разработка технологий управляемой (упорядоченной) самоорганизации массивов нанообъектов для создания перспективных приборов наноэлектроники на стыке технологий нанопаттернирования и эпитаксиального роста.
6. Разработка технологий и изготовление прецизионных шаблонов для контактной литографии при помощи электронно-лучевой нанолитографии и лазерной литографии.
7. Разработка создания функциональных наноматериалов и метаматериалов с помощью нанолитографии
8. Нанометрология поверхности образов. Обеспечение измерений в режиме растровой электронной микроскопии с разрешением до 5 нм.
Тематические направления:
1. Оптимизация конструкции и режимов выращивания гетероструктур РНЕМТ/GaAs и InP, метаморфных НЕМТ с высоким содержанием InAs для СВЧ транзисторов.
2. Квантовая инженерия гетероструктур с высокой подвижностью электронов. Использование функциональных нановставок для управления эффективной массой, шириной квантовой ямы (КЯ), рассеянием горячих электронов.
3. Процессы самоорганизации при капельной эпитаксии ансамблей InGaAs/AlGaAs.
4. Электронно-лучевая нанолитография для создания прототипов нанотранзисторов мм-диапазона (вплоть до 1 Терагерц)
5. Стандартизация и метрология гетероструктур. Определение толщинной и латеральной неоднородности состава. Методы повышения точности и воспроизводимости изготовления гетеростуктур.
2. Лаборатория комплексной технологии полупроводниковых приборов.
3. Лаборатория дизайна и СВЧ измерений.
Основные направления деятельности лаборатории:
- проектирование топологии МИС для изделий СВЧ электроники;
- проектирование гетероструктурных транзисторов (HEMT, pHEMT, mHEMT, HBT) на основе широкозонных полупроводниковых материалов (GaN, SiC, GaAs, InP, AlGaAs, InGaAs и т.д.), включая их электрофизические и тепловые параметры;
- проектирование приборов оптоэлектроники (светодиодов и фотоэлектропреобразователей) на основе гетероструктур соединений AIIIBV на подложках сапфира и карбида кремния, включая их электрофизические, тепловые и оптические параметры;
- проведение исследований изделий СВЧ-, опто- и силовой электроники на основе соединений AIIIBV и AIVBIV;
- разработка многослойной металлизации полупроводниковых приборов: транзисторов и светодиодов на основе нитрида галлия, и нанесением в вакууме пленок металлов и их соединений для создания на их основе контактов к приборам.
4. Научно-исследовательская Лаборатория физики и технологии широкозонных полупроводниковых материалов.
Тематические направления: Молекулярно-лучевая эпитаксия нитридов IIIгруппы; эпитаксия из газовой фазы; получение тонких пленок широкозонных полупроводников методом вакуумной лазерной абляции; исследование свойств тонкопленочных структур методом спектральной эллипсометрии, ИК-Фурье спектроскопии; рентгеновская дифрактометрия.
5. Лаборатория зондовой микроскопии и электронной спектроскопии наноструктур и поверхности твердых тел.
Тематические направления: наноструктуры на основе нанокластеров металлов на поверхности твердых тел; многослойные наногетероструктуры для микро- и наноэлектроники; квантовые точки.
6. Лаборатория лазерной абляции.
Тематические направления: Технология тонких пленок, сверхпроводимость, лазерная физика.
