Оборудование

Наименование, модель (фирма-производитель)

Реализуемые методы

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии материалов группы A3B5, RiberCompact21T3-5(Riber, Франция)

Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур группы А3В5 на подложках GaAs, InP. Диаметр до 75 мм (3 дюйма).

Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп с блоком нанолитографии,Raith150TWO (Raith, Германия)

Растровая электронная микроскопия. Электронно-лучевая нанолитография, в том числе для нано - и СВЧ электроники с топологической нормой до 50 нм.

Установка для измерения температурных зависимостей электросопротивления и параметра Холла, Ecopia HMS 5000 (Ecopia, Корея)

Измерение удельного сопротивления образцов методом Ван-дер Пау на образцах квадратной формы с омическими контактами в углах квадрата. Измерение эффекта Холла (фиксированное магнитное поле 0,55 Т). Измерение температурных зависимостей в интервале температур 77-340 К. Размер образцов (сторона квадрата) от 5×5 мм до 15×15 мм.

Системы осаждения тонких пленок, KurtLeskerPVD 250, PVD 75 (Kurt J. LeskerCompany, США)

Установка позволяет наносить металлы двумя способами: метод термического испарения; метод электронно-лучевого испарения.

Система прямой лазерной литографии, HeidelbergDWL66FS(HeidelbergInstrumentsMikrotechnikGmbH, Германия)

Система высокопрецизионной безшаблонной литографии с использованием лазерной литографии. Может использоваться для нанесения маски или прямого экспонирования на любой плоской поверхности покрытой фоторезистом. Запись рисунка выполняется с использованием растровой и сканирующей технологий. Подложки механически перемещаются под пишущей линзой в одной плоскости, пока луч сканирует в поперечном направлении. Из-за стратегии рисования экспонирование не зависит от сложности особенностей рисунка.

Установка контактной литографии, SussMJB4 (SUSSMicroTec, Германия)

Установка обеспечивает следующие методы контакта:

Низковакуумный- снижается нагрузка по подложку.

Мягкий контакт - достигается разрешение 2 мкм.

Жесткий контакт - разрешение достигает 1 мкм.

Вакуумный контакт - достигается субмикронное разрешения.

Контакт с зазором - позволяет производить экспонирование с зазором до 50 мкм.

Комбинированная система нанесения и задубливания резиста, SawatecSM180/ НР150 (Sawatec, Швейцария)

Нанесение резиста методом Hotplate.

Контактный (стилусный) профилометр, Dektak XT (BrukerAXS, Германия)

Сканирование поверхности с помощью стилуса (контактный метод), измерение шероховатости поверхности.

Установкаплазменнойочистки, YES-G500 (Yield Engineering Systems, Inc., США)

Подготовка поверхности для разварки, удаление загрязнений, остатков флюса или стерилизация поверхностей. Установка обеспечивает анизотропное травление материалов, в режиме реактивно-ионного травления.

SPTS LPX ICP (SPP Process Technology Systems, Великобритания)

Установка плазмохимического реактивно-ионного травления для диэлектриков, полупроводников и металлов.

LPXCVD()

Установка плазмохимического осаждения

Установка быстрого термического отжига,Modular RTP600S (Modular Process Technology Corp., США)

Установка предназначена для проведения процессов быстрого термического отжига пластин до температуры 1200°С в инертной среде.

КомплексизмеренийS-, X- параметров, Agilent PNA-X N 5245A (Agilent Technologies, США)

Анализатор цепей предназначен для измерений комплексных S-, X- параметров в полосе от 0,01 до 50 ГГц, измерения характеристик, имеет 4 СВЧ порта; волновое сопротивление 50 Ом. Рабочая полоса частот - от 0,01 до 50 ГГц.

Комплекс измерений параметров полупроводниковых приборов, AgilentB1500 (AgilentTechnologies, США)

Автоматизированное измерение вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, микро- и наноэлектронных структур в широком диапазоне токов – от 0,1 фА до 100 мА.

Зондовая станция PM8, EP6(CascadeMicrotech, США)

Ручные зондовые станция для измерения пластин от 150 мм (6 дюймов) до 200 мм (8 дюймов).

Тестер полупроводниковых приборов, Formula TT (ФОРМ, Россия)

Контроль и измерения статических параметров полупроводниковых приборов в диапазонах от 0,1 до 2000 В и от 50 нА до 100 А.

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии нитридных гетероструктур, Veeco GEN930 (Veeco, США)

Проведения процессов роста нитридных эпитаксиальных структур в условия сверхвысокого вакуума методом МЛЭ.

Установка осаждения пленок карбида кремния, SMI(SMITechnology, Южная Корея)

Спектроскопические эллипсометры, SE850 (SENTCH, Германия)

PHE-102 (Angstrom Advanced Inc., США)

Метод эллипсометрии основан на измерении поляризации света после его отражения (как правило) от исследуемой поверхности

Инфракрасный Фурье спектрометр, FTIR-8400S (Shimadzu, Япония)

В ИК-спектроскопии инфракрасное излучение проходит через образец. Образец поглощает часть излучения, а часть пропускает. Полученный спектр поглощения или пропускания является уникальным для данного вещества. Две различные молекулы не могут дать одинаковый инфракрасный спектр.

Дифрактометр рентгеновский, UltimaIV (Rigaku, Япония)

Метод рентгеновской дифрактометрии (XRD).

Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности, MultiprobeMXPS(OmicronNanotechnologyGmbH, Германия)

Режим исследования образцов: исследование морфологии поверхности методом АСМ; исследование морфологии поверхности методом СТМ; исследование электронной структуры поверхности методом сканирующей туннельной спектроскопии (СТС); исследование эле-ментного и химического состава методом РФЭС; исследование элементного и химического состава методом оже-электронной спектроскопии (ОЭС).

Установка лазерной абляции, PLD-2000 MBE(PVDProducts,США)

Приготовление пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) методом лазерной абляции.

Установка плазменного травления, очистки и активации поверхности, NANO-UHP(DienerElectronicGmbH, Германия)

Установка шлифовки и полировки, LP50 (Logitech Limited, Великобритания)

Установка полуавтоматической дисковой резки, ADT7100 (AdvancedDicingTechlologies, Израиль)

Криогенная цистерна, ЦТК-5/0,25 (КриогенТехГаз, Россия)

Малогабаритная вакуумная установка реактивно-ионного травления, МВУ ТМ РИТ (НИИ точного машиностроения, Россия)

Малогабаритная вакуумная установка магнетронного нанесения, МВУ ТМ Магна (НИИ точного машиностроения, Россия)

Настольный электронный микроскоп, SemTracmini(MicrotracInc., США)

РЭМ, ASM

Сканирующий зондовый микроскоп, СОЛВЕР НЕКСТ (НТ-МДТ, Россия)

СЗМ,

Установки травления полупроводниковых пластин, КС-02, КС-04 (Сталис, Россия)

Высокотемпературная трубчатая печь, NaberthermRHTH120/600 (NaberthermGmbH, Германия)

Шкаф сушильный, Экрос ES-4610 (ЗАО НПО «Экрос», Россия)

Индуктивный контактный профилометр, Talysurfi60 (TaylorHobson, Великобритания)

Профилометрия.

Микроскоп оптический тринокулярный и бинокулярный, BX43, CX21 (Olympus, Япония)

Оптическая микроскопия.