В № 3 Вестника Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» вышли статьи по результатам работ сотрудников Центра:
- И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, М.М. Грехов, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов Влияние профиля состава квантовой ямы на электрофизические свойства P -HEMT гетероструктур с двусторонним дельта легированием // Вестник НИЯУ МИФИ. – Том 2.- № 3.- 2013.- стр. 261-267
- И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, И.С. Еремин, Д.М. Жигунов, Н.И. Каргин, Ю.Д. Сибирмовский, М.Н. Стриханов Особенности формирования ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs методом капельной эпитаксии. // Вестник НИЯУ МИФИ. – Том 2.- № 3.- 2013.- стр. 267-273
- Г.К. Сафаралиев, Б.А. Билалов, М.К. Курбанов, Н.И. Каргин, Ш.М. Рамазанов, А.С. Гусев Особенности формирования потенциального барьера в структуре Ме/(SiC)1–x(AlN)x/SiC. // Вестник НИЯУ МИФИ. – Том 2.- № 3.- 2013.- стр. 273-27.
- Deep Centers and Persistent Photocapacitance in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures Grown on Si Substrates / Alexander Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova,
- Stephen J. Pearton, Fan Ren, Lu Lui, J. Wayne Johnson, N. I. Kargin, R.V. Ryzhuk /J. Vac. Sci. Technol. B 31(1), Jan/Feb 2013. PP 011211-1 - 011211-5
- РазработкаэнергоэффективногосветильниканаосновенаногетероструктурInGaN/GaN/AlGaN / Н.И. Каргин, Р.В. Рыжук, А.М. Коновалов, А.Л. Кузнецов, А.Ю. Павлов, А.А. Макаров/ Электроннаятехника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, Выпуск 1 (228), 2012, С. 90-94
- Исследование влияния технологических режимов на величину удельного переходного сопротивления контактов к карбиду кремния / Р.В. Рыжук, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, Б.А. Билалов, А.С. Гусев / Ядерная физика и инжиниринг, 2012, том 3, № 4, с. 380–384
- Влияние энергии и дозы имплантации на напряжение пробоя карбидокремниевых p-n-структур / Г.К. Сафаралиев, Б.А. Билалов, Р.В. Рыжук, Н.И. Каргин, Г.Д. Кардашова, М.Э. Исмаилов / Вестник Дагестанского государственного университета. 2012, Выпуск 6. Естественные науки. С.30-34
- Влияние режимов формирования и эксплуатации на свойства ионно-легированных карбидокремниевых диодных структур / Р.В. Рыжук, Н.И. Каргин, Б.А. Билалов, В.А. Гудков / Известия высших учебных заведений. Электроника. М.: Изд. МИЭТ. - 2009. - №5 (79). С. 7-14